12 月 26 日消息，据韩媒 SEdaily 今天报道，三星将在 2026 年 2 月开始大规模量产 HBM4 芯片，其竞争对手 SK 海力士也会在大致相同的时间开始量产，成为全球内存半导体行业首例。
业内人士透露，SK 海力士将从明年 2 月起，在韩国京畿道利川 M16 工厂、清州 M15X 工厂全面启动生产。而三星也将于同一时间在平泽园区启动 HBM4 量产工作。
据报道，HBM4 不只是一次单纯的性能升级，而是转向客制化产品的重要分水岭。其中 SK 海力士选择与台积电合作，在 HBM4 的基底 Die 上采用 12nm 制程工艺，让带宽相比上代型号提升 2 倍，能效比提升 40% 以上。
而三星则凭借 Turnkey（注：一站式）方案、领先制程技术正面迎战，这家厂商选择果断导入 10nm 先进制程，在内部技术评估中实现 11.7Gbps 的行业领先性能，因此有足够的自信将量产时间提前至 2 月。
同时，三星生产出的 HBM4 芯片大部分都将供应给英伟达的下一代 AI 加速器系统“Vera Rubin”，计划 2026 年下旬发布，部分 HBM4 芯片还将供应给谷歌，用于生产第七代 TPU（张量处理单元）。
此前曾有传闻称，三星和 SK 海力士未来一年的 HBM 产能已全部售罄，各大 AI 巨头正争相采购尽可能多的芯片，亚马逊、谷歌、微软、OpenAI 等企业可能遭遇瓶颈。
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