据Digitimes报道，存储龙头三星电子将针�层HBM3E推�%的降价策略，以试图抢占市场。

“价格战”背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今𻂑月，三�层HBM3E产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。

三星HBM3E出货时间仍然明显落后于SK海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早�年，SK海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品，今年上半年更是实现�层HBM3E的量产供货；另有消息称，今𻂎月，美光HBM3E的良率已提高�%以上，且预计出货量超񙷎层HBM3E。

在良率与市场份额明显落后的局面下，三星于今𻂏月被传出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。彼时的三星提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。

不过，就产品迭代趋势而言，HBM3E仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列第六代产品——HBM4或即将全面推出。

本月消息称，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划��日�日�年三星科技展上发布第六�层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。其他存储厂商方面，今𻂑月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。

在HBM4全面接棒老款产品的背后，是英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级。早在去年，黄仁勋就预告推出Blackwell Ultra AI芯片，且将采用HBM4内存。

而据TrendForce集邦咨询最新调查，近期英伟达积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升�Gbps。值此背景，预计SK海力士在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势。从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上�.8%，达𳗡.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市�层HBM4产品单价将达�美元，比售价�美元�层HBM3e高�%以上。

目前来看，三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低。根据此前韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。据其估算，三𿴽-9月期间标准DRAM业务运营利润率约�%，HBM业务则�%。

另据日前消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高�%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。